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晶圓硅片紅外均勻加熱

日期：2023-11-03 16:49

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這幾年我們在蘇州，大連以及無錫(xi)的客戶群體，需要將8寸(cun)晶(jing)圓(yuan)外表面(mian)均(jun)勻加熱到一定溫度，對加熱要求(qiu)極高，以實現(xian)加熱后在下一工序中達到更好的效(xiao)果。

紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點，適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器（朗(lang)普紅外(wai)線加熱(re)數據庫以(yi)及(ji)光(guang)學運算，優化了(le)熱(re)源燈絲內部發(fa)光(guang)體結(jie)構、反光(guang)板結(jie)構以(yi)及(ji)陣(zhen)列布燈，使被加熱(re)表(biao)面(mian)接受均(jun)值的(de)紅線輻射能(neng)量(liang)，有(you)效降低(di)了(le)溫度不(bu)均(jun)帶來的(de)不(bu)良工(gong)藝質量(liang)問題）。

客戶加熱要求：

1、在直徑φ200加熱(re)范圍(wei)內溫(wen)度均勻性盡量高，溫(wen)度一致性≤±6℃

2、出具加熱模擬方(fang)案及熱分布模擬結果報告。

3、加熱迅速，300秒內加熱對(dui)象，能(neng)快速升溫200至400℃。

?紅外線加熱拓撲圖.png

于是我們(men)根據客戶需求量身定制(zhi)了加熱方案：

1，通過優化燈(deng)絲(si)熱能(neng)分布結構(gou)，做到類矩形加熱（常規為雙尖形），減少中間聚熱，兩頭冷的不均勻熱場現象；

2，并通過朗普數據庫+光學運算，得出陣列布燈距高比；

3，通過背面(mian)弧形光學反(fan)光曲率設(she)計，進一步修正輻照場的均勻度；

4，通過電控系統和非接觸式測溫探頭，進行閉環控制，進一步減少溫度過沖或者加熱不足導致的工藝問題。

硅片加熱 (1).jpg