晶圓(yuan)(yuan)（wafer） 是(shi)制造半導(dao)體器件的(de)基礎性(xing)原(yuan)材料(liao)。高純度的(de)半導(dao)體經(jing)過拉晶、切(qie)片等工(gong)序(xu)制備(bei)成(cheng)(cheng)為(wei)晶圓(yuan)(yuan)，晶圓(yuan)(yuan)經(jing)過一系列半導(dao)體制造工(gong)藝形(xing)成(cheng)(cheng)極微小的(de)電(dian)路結構，再經(jing)切(qie)割、封裝、測試成(cheng)(cheng)為(wei)芯片，廣(guang)泛應用到各類電(dian)子設備(bei)當中。 晶圓(yuan)(yuan)材料(liao)經(jing)歷了 60 余年的(de)技(ji)術演進和(he)產業發展(zhan)，形(xing)成(cheng)(cheng)了當今以硅(gui)為(wei)主、新型(xing)半導(dao)體材料(liao)為(wei)補充的(de)產業局面(mian)。

據悉：全世界80%的(de)手機(ji)和電腦由中(zhong)(zhong)國生產。中(zhong)(zhong)國的(de)高性能芯(xin)(xin)片95%依靠(kao)進口(kou)，于(yu)是中(zhong)(zhong)國每(mei)年要花(hua)費2200億美(mei)元去進口(kou)芯(xin)(xin)片，該數額為中(zhong)(zhong)國全年石油進口(kou)額的(de)2倍。所有與(yu)光刻機(ji)和芯(xin)(xin)片生產相關的(de)設備和材料也(ye)受到封鎖，比如晶圓(yuan)片、高純(chun)金屬、刻蝕(shi)機(ji)等等。

今天，就讓小編好好科(ke)普一下關于晶(jing)圓機UV光擦除(chu)原理吧！這樣(yang)我們才能更加深入了解晶(jing)圓機的構造，也能幫助大(da)家理解晶(jing)圓機光擦除(chu)技術(shu)是如何發展(zhan)進(jin)步的！

UV擦寫原理?

在數據寫入(ru)(ru)時(shi)(shi)，需要通過(guo)給(gei)柵極(ji)加上高電(dian)(dian)壓 VPP ，如(ru)下(xia)圖所(suo)示，向浮置柵注入(ru)(ru)電(dian)(dian)荷。注人后的(de)(de)(de)電(dian)(dian)荷由于不具備穿透(tou)硅氧化膜能(neng)壁(bi)的(de)(de)(de)能(neng)量，因而只能(neng)維持現狀，所(suo)以我們必須給(gei)予電(dian)(dian)荷一定(ding)的(de)(de)(de)能(neng)量！而這(zhe)時(shi)(shi)候就需要用(yong)到紫外線了。

當浮置柵(zha)接收(shou)到紫(zi)外線的(de)(de)照(zhao)射，浮置柵(zha)中的(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)(zi)接收(shou)了紫(zi)外線光量(liang)(liang)子(zi)(zi)的(de)(de)能(neng)(neng)量(liang)(liang)，則(ze)電(dian)(dian)子(zi)(zi)變成(cheng)具有穿透(tou)硅氧(yang)化膜能(neng)(neng)壁(bi)能(neng)(neng)量(liang)(liang)的(de)(de)熱(re)電(dian)(dian)子(zi)(zi)。如圖(tu) 所示，熱(re)電(dian)(dian)子(zi)(zi)穿透(tou)硅氧(yang)化膜，流向基板和柵(zha)極，恢(hui)復為擦除(chu)(chu)狀態。擦除(chu)(chu)操作，只能(neng)(neng)通(tong)過接收(shou)紫(zi)外線的(de)(de)照(zhao)射來進行，而不(bu)能(neng)(neng)進行電(dian)(dian)子(zi)(zi)擦除(chu)(chu)。也(ye)就是說，只能(neng)(neng)夠(gou)進行由 “ 1 ” 向 “ 0 ” 改變比特數，而在反方(fang)向上．除(chu)(chu)擦除(chu)(chu)芯片全部內容的(de)(de)方(fang)法以外，再沒有其他的(de)(de)方(fang)法。

我們知道，光的能量與光的波長(chang)成反比(bi)例(li)關系，為(wei)了讓電子成為(wei)熱(re)電子，從而具(ju)有穿透氧化膜的能量，就非常需要(yao)波長(chang)較短的光即紫外線的照射(she)。由于(yu)擦除時(shi)間(jian)決定(ding)于(yu)光量子的數目(mu)，因而即使在波長(chang)較短的情況下，也(ye)不(bu)能縮短擦除時(shi)間(jian)。一(yi)般地，當波長(chang)為(wei) 4000A （ 400nm ）左(zuo)右時(shi)才開始進行擦除。在 3000A 左(zuo)右基本達到(dao)飽和。低于(yu) 3000A 以后，波長(chang)即使再(zai)短，對于(yu)擦除時(shi)間(jian)也(ye)不(bu)會產生什(shen)么影(ying)響。

（晶(jing)圓(yuan)用UV燈(deng)的波(bo)譜圖）

UV擦除的(de)(de)標(biao)準一般為(wei)接(jie)受精準波(bo)長的(de)(de) 253.7nm ，強度 ≥16000 μ W /cm2的(de)(de)紫外線 30 分鐘(zhong)至3小時(shi)不等的(de)(de)照射時(shi)長，即可完成其擦除操作。

自從 2014 年至今，朗普(pu)成(cheng)功為多家深圳晶(jing)圓加工企業(ye)提供(gong) UV 光擦除裝置，降(jiang)低了晶(jing)圓加工成(cheng)本，光強衰減小，質量穩定。隨著(zhu)朗普(pu)對 UV 光擦除裝置的不斷研究與發展(zhan)，肯定能為晶(jing)圓行業(ye)、芯片制(zhi)造行業(ye)帶來更(geng)多新的希望！

朗普(pu)LOGNPRO晶(jing)圓光擦除UV裝置(zhi)?